Розглянуто основні теоретичні та практичні питання з дисципліни "Системи автоматизованого проектування" (САПР), а саме класифікацію, функції, склад і структуру САПР, структуру їх математичного забезпечення, методику. Наведено принципи роботи з керуючою оболонкою SHELL, основи графічної побудови принципових схем тощо.

Викладені основи аналізу і синтезу інформаційних пристроїв на базі потенційно нестійких узагальнених перетворювачів імітанса.Розроблені математичні моделі узагальнених перетворювачів імітанса, і на їх основі виконано аналіз чутливості, стійкості і шумів взаємних і невзаємних інформаційних пристроїв. Запропоновано методики синтезу таких пристроїв.

Представлено основну термінологію і класифікацію мікроелектроніки, систему умовних позначень мікросхем, розглянуті основні тенденції її розвитку. Наведено методи конструювання та розрахунку елементів гібридних мікросхем: плівкових резисторів, плівкових конденсаторів, плівкових індуктивностей, тонкоплівкових розподілених RC-структур, плівкових провідників, навісних елементів. Висвітлені методи проектування топології гібридних мікросхем, а також контрольно-перевіркові розрахунки топології гібридних мікросхем.

Розглянуто вимоги до елементів напівпровідникових мікросхем, їх технологічні та конструкторські особливості. Висвітлено питання розрахунку елементів напівпровідникових мікросхем, а також вибір фізичної структури, розрахунок діодів, транзисторів, конденсаторів і резисторів. Описано основні правила проектування топології напівпровідникових мікросхем та вимоги до конструкторської документації. Відображено питання проектування схем на структурах метал - діелектрик - напівпровідник. Наведено велику кількість довідкового матеріалу та числові приклади розрахунків.

Запропоновано узагальнену класифікацію негатронів, а також класифікацію напівпровідникових негатронів. Висвітлено теорію кіл з R-негатронами, показано оптимальне значення їх негативного опору та провідності. Визначено взаємозв'язок вигляду вольт-амперної характеристики та типу зворотного зв'язку й характеру реактивності R-негатрона. Розглянуто види голографів, визначено допоміжні елементи Баркгаузена для даних негатронів.

Предложены обобщенная классификация негатронов, а также классификация полупроводниковых негатронов. Освещена теория кругов с R-негатронами, показано оптимальное значение их негативного сопротивления и проводимости. Определена взаимосвязь вида вольт-амперной характеристики с типом обратной связи и характером реактивности R-негатронов. Рассмотрены виды голографов, определены вспомогательные элементы Баркгаузена для данных негатронов.

Розглянуто базові фізичні ефекти сучасних негатронів, зокрема, газорозрядний, динатронний, термоелектричний, тунельний, лавинний, тиристорний, лавинно-пролітний ефекти, а також пролітний эфект у вакуумних негатронах.

Рассмотрены базовые физические эффекты, лежащие в основе современных негатронов, в частности, газоразрядный, динатронный, термоэлектрический, тунельный, лавинный, тиристорный, лавинно-пролетный эффекты, а также пролетный эффект в вакуумных негатронах.

Наведено класифікацію негатронів та визначено їх параметри. Розглянуто методи вимірювання параметрів фізичних негатронів і формальних параметрів потенційно нестійких чотириполюсників, а також імпедансних характеристик негатронів. Викладено методику оцінки похибок вимірювання параметрів негатронів.

Приведена классификация негатронов и определены их параметры. Рассмотрены методы измерения параметров физических негатронов и формальных параметров потенциально неустойчивых четырехполюсников, а также импедансных характеристик негатронов. Изложена методика оценки погрешностей измерения параметров негатронов.

Здійснено класифікацію та аналіз методів і засобів розпізнавання зображень за ознаками. Сформульовано принципи формування та організації спецобчислювачів моментних ознак зображення (СМОЗ), розроблено математичні моделі їх побудови. Наведено структурно-функціональні схеми та алгоритми функціонування СМОЗ за методами ітераційних багатоступеневих накопичень та пофрагментного інтегрування, висвітлено прикладні аспекти їх реалізації. Результати теоретичних досліджень підтверджено комп'ютерним моделюванням алгоритмів обробки та формування ознак зображення.

Осуществлены классификация и анализ методов и средств распознавания изображения по признаками. Сформулированы принципы формирования и организации спецвычислителей моментных признаков изображения (СМПИ), разработаны математические модели их построения. Приведены структурно-функциональные схемы и алгоритмы функционирования СМПИ методами итерационных многоступенчатых накоплений и пофрагментного интегрирования, освещены прикладные аспекты их реализации. Результаты теоретических исследований подтверждены компьютерным моделированием алгоритмов обработки и формирования признаков изображения.

Викладено теоретичні засади й історію розвитку негатроніки. Проаналізовано найважливіші досягнення та основоположні публікації в даній галузі. Розглянуто принципи побудови та надано результати досліджень комбінованих динамічних негатронів. Обгрутовано теорію узагальнених перетворювачів імітансу в аспекті створення комбінованих динамічних негатронів. Охарактеризовано узагальнені перетворювачі імітансу на біполярному та польовому транзисторах.

Изложены теоретические основы и история развития негатроники. Проанализированы наиважнейшие достижения и основоположные публикации в данной отрасли. Рассмотрены принципы построения и поданы результаты исследований комбинированных динамических негатронов. Обоснована теория обобщенных преобразователей иммитанса в аспекте создания комбинированных динамических негатронов. Охарактеризованы обобщенные преобразователи иммитанса на биполярном и полевом транзисторах.

Висвітлено прикладні аспекти негатроніки. Розглянуто теоретичні питання проектування взаємних та невзаємних інформаційних пристроїв на базі негатронів. Особливу увагу приділено конкретним технічним рішенням створення інформаційних елементів і пристроїв на базі динамічних негатронів і стабілізації їх параметрів. Розглянуто питання метрологічного забезпечення негатроніки, критеріальної оцінки ефективності інформаційних пристроїв на основі негатронів. Сформульовано перспективні напрямки досліджень щодо забезпечення підвищення їх ефективності.

Освещены прикладные аспекты негатроники. Рассмотрены теоретические вопросы проектирования взаимных и невзаимных информационных устройств на базе негатронов. Особое внимание уделено конкретным техническим решениям создания информационных элементов и устройств на базе динамических негатронов и стабилизации их параметров. Рассмотрены вопросы метрологического обеспечения негатроники, критериальной оценки эффективности информационных устройств на основе негатронов. Сформулированы перспективные направления исследований по обеспечению их эффективности.

Розглянуто класифікацію динамічних негатронів, описано їх параметри та нелінійні властивості, лінійні та нелінійні режими роботи. Наведено загальну характеристику нелінійних електричних кіл, запропоновано методи їх аналізу та розрахунку. Зроблено математичне моделювання нелінійного та параметричного режимів роботи динамічного негатрона на біполярному транзисторі. Висвітлено теоретичні засади проектування елементів і пристроїв автоматики на базі динамічних негатронів. Визначено Y-параметри динамічних негатронів на біполярних транзисторах для режиму великого сигналу. Розроблено нові інформаційні пристрої з використанням динамічних негатронів різного функціонального призначення.

Рассмотрена классификация динамических негатронов, описаны их параметры и нелинейные свойства, линейные и нелинейные режимы работы. Дана общая характеристика нелинейных электрических цепей, рассмотрены методы их анализа и расчета. Проведено математическое моделирование нелинейного и параметрического режимов работы динамического негатрона на биполярном транзисторе. Освещены теоретические основы проектирования элементов и устройств автоматики на базе динамических негатронов. Определены Y-параметры динамических негатронов на биполярных транзисторах для режима большого сигнала. Разработаны новые информационные устройства с использованием динамических негатронов различного функционального назначения.

Розглянуто питання негатроніки та проектування електронних пристроїв на базі напівпровідникових приладів з негативним опором. Наведено задачі з негатроніки та приклади їх розв'язання.

Рассмотрены вопросы из области негатроники и моделирования электронных устройств на их основе. Приведены задачи по негатронике и примеры их решения.

Висвітлено історію появи нового наукового напрямку - оптонегатроніки, яке виникло на стику досягнень оптоелектроніки та негатроніки. Особливу увагу приділено відкриттю О. В. Лосєвим напівпровідникових приладів з від'ємним диференціальним опором та електролюмінісценції, які є основою оптонегатроніки. Наведено узагальнену класифікацію оптонегатронів. Розглянуто деякі приклади їх реалізації, переваги та недоліки. Зроблено спробу сформулювати найбільш перспективні шляхи розвитку оптонегатроніки.

Проаналізовано ряд існуючих схем генераторних давачів оптичного випромінювання. Розроблено критерії для їх порівняльного аналізу. Проведено оцінку ефективності таких давачів за обраними критеріями.

Запропоновано новий варіант побудови інформаційно-вимірювальної системи для визначення параметрів активних чотириполюсників з використанням діаграми Вольперта - Смітта. Наведено теоретичне обгрунтування алгоритму роботи такої системи та експериментальні результати перевірки адекватності даного алгоритму.

Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Проведено комп'ютерне моделювання даного елемента.

Розглянуто питання створення ультра- та надвисоких частот (УВЧ і НВЧ) активних фільтрів на базі біполярних і польових транзисторів. Проведено порівняльний аналіз узагальнених перетворювачів імітансу на основі цих транзисторів як базового елемента УВЧ і НВЧ активних фільтрів. Розкрито основні напрями реалізації фільтрів і особливості їх розрахунку. Увагу приділено шумовим параметрам, питанням забезпечення стабільності та вимірювання параметрів узагальнених перетворювачів імітансу та фільтрів.

Рассмотрены вопросы создания ультра- и сверхвысоких частот (УВЧ и СВЧ) активных фильтров на базе биполярных и полевых транзисторов. Проведен сравнительный анализ обобщенных преобразователей иммитанса на основе этих транзисторов как базового элемента УВЧ И СВЧ активных фильтров. Раскрыты основные направления реализации фильтров и особенности их расчета. Уделено внимание шумовым параметрам, вопросам обеспечения стабильности и измерения параметров обобщенных преобразователей иммитанса и фильтров.

Розглянуто питання дослідження потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі й особливості проектування інформаційних пристроїв на їх основі. Визначено імітансні характеристики чотириполюсників в режимі малого сигналу. Проаналізовано вплив температури, напруги живлення, керування на параметри різних типів узагальнених перетворювачів імітансу.

Рассмотрены вопросы исследования потенциально-неустойчивых многоэлектродных полупроводниковых структур Шоттки и особенности проектирования информационных устройств на их основе. Определены иммитансные характеристики четырехполюсников в режиме малого сигнала. Проанализировано влияние температуры, напряжения питания, управления на параметры разных типов обобщенных преобразователей иммитанса.

Наведено класифікацію чотириполюсників та їх параметрів, зокрема, оборотних (взаємних), симетричних й антиметричних, реактивних. Визначено вихідні співвідношення хвильових матриць, взаємозв'язок між елементами різних матриць, вхідний коефіцієнт відбиття чотириполюсника. Описано методи вимірювання стандартної та нестандартної системи імітансних і хвильових параметрів (ІХП) потенційно-нестійких чотириполюсників. Обгрунтовано засоби вимірювання параметрів чотириполюсників і фізичних еквівалентних схем транзисторів. Розглянуто питання експериментальної перевірки методів вимірювання ІХП. Наведено результати експериментальних досліджень ІХП транзисторів.

Приведена классификация четырехполюсников и их параметров, в частности, оборотных (взаимных), симметрических и антиметрических, реактивных. Определены исходные соотношения волновых матриц, взаимосвязь между элементами разных матриц, входной коэффициент отражения четырехполюсника. Описаны методы измерения стандартной и нестандартной системы имитансных и волновых параметров (ИВП) потенциально-неустойчивых четырехполюсников. Обоснованы средства измерения параметров четырехполюсников и физических эквивалентных схем транзисторов. Рассмотрены вопросы экспериментальной проверки методов измерения ИВП. Изложены результаты экспериментальных исследований ИВП транзисторов.

Висвітлено теоретичні та фізичні основи оптонегатроніки. Проведено класифікацію та проаналізовано основні інформативні параметри оптонегатронів. Розкрито принципи побудов комбінованих транзисторних оптонегатронів, наведено результати їх досліджень. Подано інформацію про світло- та фотодіоди, лазер, фототиристори, математичну модель транзисторного оптонегатрона, узагальнені перетворювачі імітансу на транзисторних оптонегатронах. Увагу приділено інформаційним пристроям на основі оптонегатронних елементів, зокрема, частотно-вибірковим пристроям, генераторним датчикам оптичного випромінювання, оптоімітансним логічним елементам.